応用情報技術者試験 平成30年度春期 午前 問１０
お久しぶりです！
前回からかなり期間が空いてしまいましたが、続けます！
応用情報技術者試験 平成30年度春期 午前 問１０NAND型フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
- バイト単位で書込み、ページ単位で読出しを行う。
- バイト単位で書込み及び読出しを行う。
- ページ単位で書込み、バイト単位で読出しを行う。
- ページ単位で書込み及び読出しを行う。
正解がわからず、なんとなくこれかな、と選びました…。
改めて調べて（Wikipediaを見て）みました。
NAND（ナンド）型フラッシュメモリはページ単位で書込み、読出しを行うとのことで、正解は「エ」ですね。
ただ、データの上書き更新が出来ず、また、消去はブロック単位でしか出来ないため、
①対象セルが存在するページを含むブロックを丸々読出し
②書き換えたい箇所のみを書き換え
③書き換え対象を含むブロックを消去
④②で書き換え済みのブロックを書き込む
という処理が必要です。
（実質的にはブロック単位での書込みですね…難しい…）
「ブロック単位で消去」する際、「カメラのフラッシュのように一瞬で消える」ことから、「フラッシュメモリ」と呼ばれるようになったみたいですねぇ〜。なるほど。
参考）
